The FQI3N25TU is a high-performance N-channel power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 250V and a continuous drain current (I_D) of 3A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQI3N25TU minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its compact TO-252 (DPAK) package ensures reliable thermal performance while maintaining a small footprint, making it ideal for space-constrained designs.  

Engineers appreciate its robust construction and compatibility with surface-mount technology (SMT), simplifying assembly in automated production environments. Additionally, the MOSFET incorporates advanced silicon technology to ensure stable operation under high-voltage conditions.  

Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, the FQI3N25TU delivers dependable performance, balancing power handling and thermal efficiency. Its design reflects Fairchild Semiconductor’s commitment to quality, making it a trusted choice for demanding power applications.