FQH8N100CManufacturer: FAI N-Channel QFET?MOSFET 1000V, 8.0A, 1.45? | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
FQH8N100C | FAI | 72 | In Stock |
Description and Introduction
N-Channel QFET?MOSFET 1000V, 8.0A, 1.45? **Introduction to the FQH8N100C Power MOSFET**  
The **FQH8N100C** from Fairchild Semiconductor is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power-switching applications. With a drain-source voltage (VDS) rating of **1000V** and a continuous drain current (ID) of **8A**, this component is well-suited for demanding power conversion tasks, including switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and motor control circuits.   Built using advanced MOSFET technology, the FQH8N100C offers low gate charge and reduced switching losses, enhancing efficiency in high-frequency applications. Its **fast recovery body diode** minimizes reverse recovery time, further improving performance in inductive load scenarios. The device features a **low on-resistance (RDS(on))** of 1.5Ω (typical), contributing to lower conduction losses and better thermal management.   Encased in a **TO-3P package**, the FQH8N100C provides robust thermal dissipation, making it reliable in high-power environments. Its rugged design ensures durability under high-voltage stress, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.   Engineers seeking a high-voltage MOSFET with efficient switching characteristics and strong thermal performance will find the FQH8N100C a dependable solution for their power electronics designs. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips