The **FQH8N100C** from Fairchild Semiconductor is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power-switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of **1000V** and a continuous drain current (I_D) of **8A**, this component is well-suited for demanding power conversion tasks, including switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and motor control circuits.  

Built using advanced MOSFET technology, the FQH8N100C offers low gate charge and reduced switching losses, enhancing efficiency in high-frequency applications. Its **fast recovery body diode** minimizes reverse recovery time, further improving performance in inductive load scenarios. The device features a **low on-resistance (R_DS(on))** of 1.5Ω (typical), contributing to lower conduction losses and better thermal management.  

Encased in a **TO-3P package**, the FQH8N100C provides robust thermal dissipation, making it reliable in high-power environments. Its rugged design ensures durability under high-voltage stress, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

Engineers seeking a high-voltage MOSFET with efficient switching characteristics and strong thermal performance will find the FQH8N100C a dependable solution for their power electronics designs.