100V P-Channel QFET The part FQD8P10TM is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
1. **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
2. **Part Type:** P-Channel MOSFET  
3. **Voltage Rating (V_DSS):** -100V  
4. **Current Rating (I_D):** -8A  
5. **Power Dissipation (P_D):** 50W  
6. **Package Type:** TO-252 (DPAK)  
7. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
8. **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = -10V  

These are the key specifications for FAI verification.

100V P-Channel QFET The **FQD8P10TM** from Fairchild Semiconductor is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching performance, making it suitable for load switching, DC-DC conversion, and battery protection circuits.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of -100V and a continuous drain current (ID) of -8A, the FQD8P10TM provides robust performance in demanding environments. Its compact TO-252 (DPAK) package ensures efficient thermal dissipation while maintaining a small footprint on PCBs.  

Key advantages include a low gate charge (Qg) and threshold voltage (VGS(th)), which contribute to reduced switching losses and improved energy efficiency. These characteristics make the FQD8P10TM an ideal choice for power supply designs, motor control systems, and portable electronics where minimizing power dissipation is critical.  

Engineers and designers can rely on Fairchild Semiconductor’s stringent quality standards, ensuring reliable operation across industrial and consumer applications. The FQD8P10TM exemplifies the balance between performance, durability, and cost-effectiveness, making it a versatile solution for modern power electronics.