250V P-Channel QFET The **FQD6P25TF** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (R_DS(on)) of 0.065 Ω (max) at a gate-source voltage (V_GS) of -10 V, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. With a drain-source voltage (V_DSS) rating of -25 V and a continuous drain current (I_D) of -6.3 A, the FQD6P25TF is well-suited for switching and load control in power supplies, motor drivers, and battery management systems.  

Packaged in a compact **TO-252 (DPAK)** form factor, this MOSFET offers excellent power dissipation capabilities while maintaining a small footprint, making it ideal for space-constrained designs. Its fast switching characteristics and robust construction enhance reliability in demanding environments. Additionally, the device is optimized for low gate charge (Q_G), reducing drive requirements and improving efficiency in high-frequency applications.  

Engineers and designers can leverage the FQD6P25TF for its balance of performance, thermal management, and compact design, making it a versatile choice for modern power electronics.

250V P-Channel QFET The FQD6P25TF is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -25V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -10V:** 0.065Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 0.095Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching.