500V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQD6N50CTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 25nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 750pF (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD6N50CTM.