400V N-Channel Advance QFET C-Series The FQD6N40CTM is a power MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 450pF (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on standard operating conditions (25°C unless noted).

400V N-Channel Advance QFET C-Series **Introduction to the FQD6N40CTM MOSFET**  

The FQD6N40CTM is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 400V and a continuous drain current (I_D) of 6A, this component is well-suited for use in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQD6N40CTM minimizes power losses, improving overall system efficiency. Its robust construction ensures reliable performance in demanding environments, making it a practical choice for industrial and consumer electronics.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, which offers a compact footprint while maintaining effective thermal dissipation. Additionally, its gate charge and threshold voltage are optimized for compatibility with low-voltage drive circuits, simplifying design integration.  

Engineers often select the FQD6N40CTM for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in offline power supplies or high-voltage switching applications, this MOSFET provides a dependable solution for efficient power management.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure proper implementation in circuit designs.