250V N-Channel QFET The FQD6N25TF is a power MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 250V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
9. **Package**: TO-252 (DPAK)  

These are the factual specifications for the FQD6N25TF MOSFET from ON Semiconductor.

250V N-Channel QFET The part **FQD6N25TF** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 250V  
- **Current Rating (I_D)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **R_DS(on) (Max)**: 1.2Ω at V_GS = 10V  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD6N25TF.