200V N-Channel MOSFET The FQD630 is a P-channel MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Here are the key specifications from the FAI (First Article Inspection) perspective:  

- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Part Number:** FQD630  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

These specifications should be verified during FAI to ensure compliance with the datasheet.

200V N-Channel MOSFET The FQD630 is a P-Channel MOSFET manufactured by FAIRCHILD Semiconductor. Below are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -25A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This information is based on FAIRCHILD's datasheet for the FQD630.