600V N-Channel Advance QFET C-Series The **FQD5N60CTM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 600V and a continuous drain current (I_D) of 5A, this MOSFET is well-suited for switching power supplies, motor control circuits, and other high-voltage systems.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQD5N60CTM minimizes power losses, enhancing energy efficiency in demanding environments. Its robust design ensures reliable operation under high-stress conditions, making it a dependable choice for industrial and consumer electronics.  

The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. Additionally, its built-in fast recovery diode provides improved switching efficiency and reduces voltage spikes, further protecting the circuit.  

Engineers and designers will appreciate the FQD5N60CTM for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a practical solution for power conversion and control applications. Whether used in AC-DC converters, inverters, or lighting systems, this MOSFET delivers consistent performance with minimal power dissipation.