500V N-Channel QFET The FQD5N50TF is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications from the manufacturer (FAI):  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 18A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 65pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typical)  
- **Switching Speed**: Fast switching capability  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD5N50TF.

500V N-Channel QFET The FQD5N50TF is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 2.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 750pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.