The FQD5N20TF is a high-performance N-channel MOSFET designed by Fairchild Semiconductor, offering efficient power management for a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 5A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQD5N20TF minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and consumer electronics.  

Packaged in a TO-252 (DPAK) form factor, the component provides excellent thermal performance while maintaining a compact footprint. The inclusion of an integrated fast-recovery body diode further improves efficiency in inductive load applications.  

Engineers and designers value the FQD5N20TF for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a versatile solution for modern power electronics. Whether used in high-frequency switching or linear regulation, this MOSFET delivers consistent and dependable performance.