500V N-Channel QFET The **Fqd4N50TM** is a **500V N-Channel MOSFET** manufactured by **FAIRCHILD Semiconductor** (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for **switching applications** such as power supplies, motor control, and inverters.  

*(Source: FAIRCHILD/ON Semiconductor datasheet for FQD4N50TM.)*

500V N-Channel QFET The FQD4N50TM is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD4N50TM.