60V N-Channel QFET The FQD30N06TF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **R_DS(on) (Max)**: 0.035Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications such as power management, motor control, and switching circuits.

60V N-Channel QFET The FQD30N06TF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Technology**: TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A at 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W at 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 40nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency switching applications, such as power supplies and motor control.