60V N-Channel MOSFET The FQD30N06 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Applications:**  
- Power switching in DC-DC converters  
- Motor control  
- Automotive systems  

For detailed specifications, refer to the official datasheet from ON Semiconductor.

60V N-Channel MOSFET The FQD30N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 60nC (typ) at V_DS = 48V, I_D = 30A  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD30N06.