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FQD2N80 from FAI,Fairchild Semiconductor

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FQD2N80

Manufacturer: FAI

800V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQD2N80 FAI 68 In Stock

Description and Introduction

800V N-Channel MOSFET The FQD2N80 is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:  

### **FQD2N80 Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 42W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 6.5Ω (max at VGS = 10V, ID = 1A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 6pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

800V N-Channel MOSFET# FQD2N80 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQD2N80 N-channel MOSFET is primarily employed in power switching applications requiring high voltage handling capabilities. Common implementations include:

 Switching Power Supplies 
-  SMPS Topologies : Used in flyback, forward, and half-bridge converters operating at 200-400kHz
-  Voltage Range : Ideal for 600-800V DC bus applications
-  Load Handling : Efficiently switches currents up to 2A continuous

 Motor Control Systems 
-  Brushless DC Motors : Three-phase inverter bridges for industrial motor drives
-  Stepper Motor Drivers : Unipolar and bipolar drive configurations
-  Power Management : Soft-start circuits and overload protection

 Lighting Applications 
-  LED Drivers : Constant current sources for high-power LED arrays
-  Ballast Control : Electronic ballasts for fluorescent lighting systems
-  Dimming Circuits : PWM-controlled dimming for industrial lighting

### Industry Applications
 Industrial Automation 
-  PLC Output Modules : Digital output stages for industrial control systems
-  Motor Drives : AC motor drives up to 1HP capacity
-  Power Distribution : Solid-state relays and contactors

 Consumer Electronics 
-  Power Adapters : High-efficiency laptop and monitor power supplies
-  Audio Amplifiers : Class-D amplifier output stages
-  Battery Management : Battery protection circuits and charging systems

 Renewable Energy 
-  Solar Inverters : DC-AC conversion in micro-inverters
-  Charge Controllers : Maximum power point tracking (MPPT) systems
-  Wind Power : Small-scale turbine control systems

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages 
-  High Voltage Rating : 800V VDS rating suitable for offline applications
-  Fast Switching : Typical switching speeds of 50ns (turn-on) and 100ns (turn-off)
-  Low Gate Charge : Qg of 15nC enables efficient high-frequency operation
-  Robust Construction : TO-252 (DPAK) package offers good thermal performance
-  Avalanche Rated : Capable of handling unclamped inductive switching events

 Limitations 
-  Moderate Current Handling : Limited to 2A continuous current
-  Gate Threshold Sensitivity : VGS(th) of 2-4V requires careful gate drive design
-  Thermal Constraints : RθJA of 62°C/W necessitates proper heatsinking above 1A
-  Voltage Derating : Recommended 20% derating for long-term reliability

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Gate Drive Issues 
-  Problem : Inadequate gate drive voltage leading to excessive RDS(on)
-  Solution : Implement dedicated gate driver IC with 10-12V drive capability
-  Problem : Gate oscillation due to excessive trace inductance
-  Solution : Use twisted pair wiring and place gate resistor close to MOSFET

 Thermal Management 
-  Problem : Junction temperature exceeding 150°C during operation
-  Solution : Implement proper heatsinking and consider thermal derating
-  Problem : Inadequate PCB copper for heat dissipation
-  Solution : Minimum 2oz copper with thermal vias to inner layers

 Voltage Spikes 
-  Problem : Voltage overshoot during switching exceeding VDS rating
-  Solution : Implement snubber circuits and proper freewheeling paths
-  Problem : Avalanche energy dissipation causing thermal runaway
-  Solution : Ensure operation within SOA (Safe Operating Area) limits

### Compatibility Issues with Other Components
 Gate Driver Compatibility 
-  Logic Level Interfaces : Requires level shifting when driven from 3.3V/5V microcontrollers
-  Bootstrap Circuits : Ensure bootstrap capacitor voltage rating exceeds VDS

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQD2N80 FSC 108 In Stock

Description and Introduction

800V N-Channel MOSFET The part **FQD2N80** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. It is an N-channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Voltage Rating (VDSS):** 800V  
- **Current Rating (ID):** 2A  
- **Power Dissipation (PD):** 35W  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (typical)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5.5Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD2N80 MOSFET.

Application Scenarios & Design Considerations

800V N-Channel MOSFET# FQD2N80 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQD2N80 is an N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high-voltage switching applications. Its primary use cases include:

 Power Supply Systems 
- Switch-mode power supplies (SMPS) up to 800V operation
- AC-DC converters in offline power supplies
- Power factor correction (PFC) circuits
- DC-DC converters in high-voltage applications

 Motor Control Applications 
- Brushless DC motor drivers
- Stepper motor controllers
- Industrial motor drives requiring high-voltage switching

 Lighting Systems 
- LED driver circuits
- High-intensity discharge (HID) lighting ballasts
- Electronic ballasts for fluorescent lighting

 Industrial Power Management 
- Solid-state relays
- Power inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Large-screen television power supplies
- Computer server power systems
- High-end audio amplifier power stages

 Industrial Automation 
- Motor drives for conveyor systems
- Robotic arm power controllers
- Industrial heating element controls

 Renewable Energy 
- Solar inverter systems
- Wind turbine power converters
- Battery management systems for high-voltage stacks

 Automotive Systems 
- Electric vehicle charging systems
- High-voltage DC-DC converters
- Automotive lighting controllers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Voltage Capability : 800V drain-source voltage rating enables operation in demanding high-voltage environments
-  Low On-Resistance : RDS(on) of 2.5Ω maximum reduces conduction losses
-  Fast Switching : Typical switching times under 100ns improve efficiency in high-frequency applications
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage spikes and inductive switching
-  Low Gate Charge : Qg of 18nC typical enables efficient gate driving

 Limitations: 
-  Gate Sensitivity : Requires careful gate drive design to prevent oscillations
-  Thermal Management : Maximum junction temperature of 150°C necessitates proper heatsinking
-  Voltage Derating : Recommended to operate at 80% of maximum rated voltage for reliability
-  SOA Constraints : Limited safe operating area at high voltages and currents

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Pitfall : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs capable of 1-2A peak current
-  Pitfall : Excessive gate resistor values leading to switching speed reduction
-  Solution : Optimize gate resistor value (typically 10-100Ω) based on switching speed requirements

 Thermal Management Problems 
-  Pitfall : Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution : Implement proper thermal vias and heatsinks; monitor junction temperature
-  Pitfall : Poor PCB layout increasing thermal resistance
-  Solution : Use large copper areas and thermal relief patterns

 Voltage Spikes and Ringing 
-  Pitfall : Undamped LC resonances causing voltage overshoot
-  Solution : Implement snubber circuits and proper layout techniques
-  Pitfall : Inadequate decoupling leading to supply voltage fluctuations
-  Solution : Use low-ESR capacitors close to drain and source pins

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility 
- Ensure gate driver voltage range (10-20V) matches MOSFET requirements
- Verify driver current capability matches gate charge requirements
- Check for voltage level shifting requirements in high-side configurations

 Protection Circuit Integration 
- Overcurrent protection must account for MOSFET's current handling capability
- Thermal protection circuits should reference maximum junction temperature
- Voltage clamping devices must be coordinated with MOSFET avalanche rating

 Control IC Interface 
- PWM

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