800V N-Channel MOSFET The FQD2N80 is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications from the manufacturer's datasheet:  

### **FQD2N80 Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 1A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 6pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

800V N-Channel MOSFET The part **FQD2N80** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. It is an N-channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD2N80 MOSFET.