500V N-Channel QFET The FQD2N50TM is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 180pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.

500V N-Channel QFET The FQD2N50TM is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

1. **Type**: N-Channel MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 31W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 150pF (typical)  
10. **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF (typical)  
11. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)  
12. **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.