500V N-Channel MOSFET The FQD2N50 is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to 150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD2N50.

500V N-Channel MOSFET The FQD2N50 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Part Number**: FQD2N50  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD2N50.