1000V N-Channel QFET The FQD2N100TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 100V  
- **Current Rating (I_D):** 2.0A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 5.0nC (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FQD2N100TM.

1000V N-Channel QFET The part **FQD2N100TM** is manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Current (I_D):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is commonly used in power switching applications.  

(Source: Fairchild/ON Semiconductor datasheet for FQD2N100TM.)