1000V N-Channel MOSFET The part **FQD2N100** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. It is a **100V N-Channel MOSFET** with the following key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for **switching applications** in power management circuits.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQD2N100)

1000V N-Channel MOSFET The FQD2N100 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 10Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 4V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 25pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 25ns (typ)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD2N100.