60V N-Channel QFET The FQD20N06TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 80A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 450pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for power switching applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQD20N06TM)