800V N-Channel MOSFET The FQD1N80 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 5.5nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD1N80.

800V N-Channel MOSFET The FQD1N80 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 4A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 12Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 60pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 10pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 4pF  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD1N80.