600V N-Channel QFET The part FQD1N60TF is manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 1.2A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **FAI (First Article Inspection) Considerations:**  
- Verify electrical parameters (V_DSS, I_D, R_DS(on)) against datasheet limits.  
- Confirm package dimensions per TO-252 specifications.  
- Check marking/labeling for correct part number and manufacturer identification.  

For detailed FAI testing, refer to the datasheet and applicable industry standards (e.g., IPC-A-610, JEDEC).

600V N-Channel QFET The FQD1N60TF is a N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 4A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 6.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 60pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 3.5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 35ns (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.