IC Phoenix logo

Home ›  F  › F19 > FQD1N60C

FQD1N60C from FAIRCHIL,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

11.719ms

FQD1N60C

Manufacturer: FAIRCHIL

600V N-Channel Advance QFET C-Series

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQD1N60C FAIRCHIL 25200 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel Advance QFET C-Series The FQD1N60C is a N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 1A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 4A  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **Power Dissipation (PD)**: 31W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 6.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 35pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss)**: 7pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 35ns (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD1N60C.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQD1N60C FSC 7490 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel Advance QFET C-Series The FQD1N60C is a MOSFET transistor manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 1A  
- **Power Dissipation (PD)**: 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 5.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD1N60C.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQD1N60C 仙童 1009 In Stock

Description and Introduction

600V N-Channel Advance QFET C-Series The FQD1N60C is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (仙童). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 1A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 4A  
- **Power Dissipation (PD)**: 31W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 6.5Ω (at VGS = 10V, ID = 0.5A)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 50pF  
- **Output Capacitance (Coss)**: 10pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 5pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 10ns  
- **Rise Time (tr)**: 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 55ns  
- **Fall Time (tf)**: 15ns  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD1N60C.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips