100V N-Channel Logic Level QFET The FQD19N10LTM is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 76A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 28nC (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the FQD19N10LTM.