IC Phoenix logo

Home ›  F  › F19 > FQD19N10L

FQD19N10L from FAIRCHIL,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

FQD19N10L

Manufacturer: FAIRCHIL

100V LOGIC N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
FQD19N10L FAIRCHIL 25200 In Stock

Description and Introduction

100V LOGIC N-Channel MOSFET The FQD19N10L is an N-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 19A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 76A  
- **Power Dissipation (PD)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.085Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1050pF (typ)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD19N10L.

Application Scenarios & Design Considerations

100V LOGIC N-Channel MOSFET# FQD19N10L N-Channel MOSFET Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The FQD19N10L is a 100V N-Channel MOSFET optimized for  switching power applications  and  motor control circuits . Its primary use cases include:

-  DC-DC Converters : Buck, boost, and buck-boost configurations
-  Motor Drive Circuits : Brushed DC motor control, stepper motor drivers
-  Power Management Systems : Load switches, power distribution
-  Automotive Applications : Electronic control units (ECUs), lighting systems
-  Industrial Controls : Relay replacements, solenoid drivers

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Engine management systems, power window controls, fuel injection systems
-  Consumer Electronics : Power supplies for gaming consoles, LCD televisions, audio amplifiers
-  Industrial Automation : PLC output modules, motor drives for conveyor systems
-  Renewable Energy : Solar charge controllers, battery management systems
-  Telecommunications : Base station power supplies, network equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low On-Resistance : RDS(on) of 0.019Ω typical at VGS = 10V reduces conduction losses
-  Fast Switching Speed : Typical switching times of 20ns (turn-on) and 60ns (turn-off)
-  Low Gate Charge : Qg of 30nC typical enables efficient high-frequency operation
-  Avalanche Energy Rated : Robustness against voltage transients
-  Logic Level Compatible : Can be driven directly from 5V microcontroller outputs

 Limitations: 
-  Voltage Rating : Maximum 100V VDS limits high-voltage applications
-  Thermal Considerations : Requires proper heatsinking at high currents
-  Gate Sensitivity : ESD protection required during handling and assembly
-  Frequency Limitations : Performance degrades above 500kHz in hard-switching applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
-  Problem : Insufficient gate drive current causing slow switching and increased switching losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs (e.g., TC4427) capable of 1.5A peak output current

 Pitfall 2: Thermal Management 
-  Problem : Junction temperature exceeding 150°C due to inadequate heatsinking
-  Solution : Implement proper thermal vias, copper pours, and consider forced air cooling for currents >10A

 Pitfall 3: Voltage Spikes 
-  Problem : Drain-source voltage overshoot during turn-off damaging the device
-  Solution : Use snubber circuits and ensure proper layout to minimize parasitic inductance

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Compatibility: 
- Compatible with most logic-level gate drivers (3.3V-15V VGS range)
- Avoid drivers with excessive overshoot (>20V) to prevent gate oxide damage

 Microcontroller Interface: 
- Direct drive possible from 5V microcontroller GPIO pins
- For 3.3V systems, consider level shifting or gate driver ICs

 Freewheeling Diodes: 
- Requires external Schottky diodes for inductive load applications
- Body diode reverse recovery characteristics may affect high-frequency performance

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout: 
- Use wide copper traces (minimum 2mm width per amp)
- Place input/output capacitors close to drain and source pins
- Implement ground planes for improved thermal and electrical performance

 Gate Drive Circuit: 
- Route gate drive traces separately from power traces
- Place gate resistor (2.2-10Ω) close to MOSFET gate pin
- Keep gate drive loop area minimal to reduce parasitic inductance

 Thermal Management: 
- Use multiple thermal

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips