100V N-Channel MOSFET The **FQD19N10** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 19A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

Featuring a low on-resistance (R_DS(on)) of just 0.028Ω, the FQD19N10 minimizes power dissipation, enhancing energy efficiency and thermal performance. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications where reduced switching losses are critical. The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while ensuring effective heat dissipation.  

Additionally, the FQD19N10 incorporates advanced trench technology, providing improved gate charge and reduced conduction losses. Its robust design ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications.  

Engineers and designers seeking a dependable power MOSFET with high current handling and low resistance will find the FQD19N10 a suitable component for optimizing system performance and efficiency.