200V N-Channel Advanced QFET V2 series The FQD18N20V2TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 18A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 72A
- **Power Dissipation (P_D)**: 160W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.18Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) to 4V (max)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1800pF (typ)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 400pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 55ns (typ)
- **Package**: TO-252 (DPAK)

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.