100V P-Channel QFET The FQD12P10TM is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -48A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 79W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1040pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 280pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD12P10TM.

100V P-Channel QFET **Introduction to the FQD12P10TM Power MOSFET**  

The **FQD12P10TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel power MOSFET designed for efficient power management in various electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of -100V and a continuous drain current (I_D) of -12A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQD12P10TM minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining excellent thermal performance. Additionally, its advanced design includes built-in protection against electrostatic discharge (ESD), further improving durability.  

Engineers and designers can leverage the FQD12P10TM for its balance of performance, efficiency, and reliability, making it a versatile solution for modern power electronics. Whether used in high-voltage circuits or energy-efficient systems, this MOSFET delivers consistent performance with minimal power dissipation.