100V P-Channel MOSFET The FQD12P10 is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.30Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -6A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 800pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications requiring high voltage and current handling in P-Channel configurations.