200V N-Channel Logic Level QFET The part **FQD12N20LTF** is a **N-channel MOSFET** manufactured by **FAI (Fairchild Semiconductor International)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for **switching applications** in power electronics.  

(Note: FAI was acquired by ON Semiconductor, but legacy Fairchild parts like this may still be available.)

200V N-Channel Logic Level QFET The FQD12N20LTF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for high-efficiency switching applications.