200V LOGIC N-Channel MOSFET The FQD12N20L is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1000pF (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQD12N20L.

200V LOGIC N-Channel MOSFET **Introduction to the FQD12N20L MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FQD12N20L is an N-channel PowerTrench® MOSFET designed by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) to deliver high efficiency and robust performance in power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 12A, this MOSFET is well-suited for switching circuits in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQD12N20L minimizes conduction and switching losses, making it ideal for high-frequency DC-DC converters, motor drives, and power supplies. Its advanced PowerTrench® technology ensures improved thermal performance and reliability under demanding operating conditions.  

The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint while maintaining effective heat dissipation. Additionally, its avalanche-rated design enhances durability in high-voltage environments.  

Engineers and designers favor the FQD12N20L for its balance of efficiency, power handling, and cost-effectiveness, making it a dependable choice for modern power electronics applications.