60V P-Channel QFET The FQD11P06TF is a P-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.11Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications requiring high efficiency and low on-resistance, such as power management and switching circuits.