200V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQD10N20C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 700pF (typical)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These are the factual specifications from Fairchild's datasheet.