250V P-Channel MOSFET The **FQB9P25** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) of 25 mΩ at a gate-source voltage (VGS) of -10 V, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. With a drain-source voltage (VDS) rating of -20 V and a continuous drain current (ID) of -9 A, the FQB9P25 is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and battery management systems.  

Encased in a compact TO-252 (DPAK) package, the FQB9P25 offers excellent power dissipation capabilities while maintaining a small footprint, making it ideal for space-constrained designs. Its fast switching characteristics and robust construction enhance reliability in demanding environments. Additionally, the MOSFET is designed with a low gate charge (Qg) to optimize efficiency in high-frequency applications.  

Engineers and designers will appreciate the FQB9P25 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a practical choice for modern power electronics. Whether used in industrial, automotive, or consumer applications, this MOSFET delivers consistent operation and energy efficiency.