500V N-Channel Advance Q-FET C-Series The **FQB9N50C** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 500V and a continuous drain current (I_D) of 9A, this component is well-suited for switching power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 0.85Ω, the FQB9N50C ensures efficient power handling with minimal conduction losses. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the robust TO-220 package provides excellent thermal performance for reliable operation under demanding conditions.  

The MOSFET incorporates Fairchild’s advanced trench technology, enhancing its efficiency and durability. Additionally, it offers strong avalanche energy capability, ensuring resilience against voltage spikes. Engineers will appreciate its compatibility with standard drive circuits, simplifying integration into existing designs.  

Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, the FQB9N50C delivers dependable performance, making it a practical choice for designers seeking a balance of power handling, efficiency, and reliability. Its specifications and rugged construction position it as a versatile solution for a wide range of high-voltage switching applications.