80V N-Channel Logic Level QFET The part **FQB9N08LTM** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**. It is an N-channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Voltage Rating (VDS):** 80V  
- **Current Rating (ID):** 9A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.085Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

This MOSFET is designed for applications such as power management, switching regulators, and motor control.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQB9N08LTM.)

80V N-Channel Logic Level QFET **Introduction to the FQB9N08LTM MOSFET by Fairchild Semiconductor**  

The FQB9N08LTM is an N-channel PowerTrench® MOSFET designed by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) to deliver efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 80V and a continuous drain current (I_D) of 9A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and high switching performance, the FQB9N08LTM minimizes conduction losses, improving overall system efficiency. Its advanced PowerTrench® technology ensures reduced gate charge (Q_G) and lower switching losses, making it ideal for high-frequency applications.  

Housed in a TO-220AB package, the device offers robust thermal performance and ease of mounting. The inclusion of a fast-recovery body diode enhances reliability in inductive load scenarios.  

Engineers favor the FQB9N08LTM for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness, making it a versatile choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications requiring efficient power handling.