80V N-Channel MOSFET The **FQB90N08** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 80V and a continuous drain current (I_D) of 90A, this component is well-suited for demanding switching tasks in industrial, automotive, and consumer electronics.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of just 11mΩ, the FQB90N08 minimizes power losses, improving efficiency in high-current circuits. Its robust construction ensures reliable operation under high-temperature conditions, making it ideal for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

The MOSFET is housed in a TO-263 (D2PAK) package, providing excellent thermal performance and mechanical durability. Its fast switching characteristics and low gate charge enhance performance in high-frequency applications while reducing switching losses.  

Engineers favor the FQB90N08 for its balance of power handling, efficiency, and thermal stability. Whether used in battery management systems, inverters, or load switches, this MOSFET delivers consistent performance, making it a dependable choice for modern power electronics designs.