600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQB8N60CTM is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V
- **Current Rating (I_D)**: 8A (continuous at 25°C)
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W (at 25°C)
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 4A)
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V (max)
- **Gate Charge (Q_g)**: 25nC (typical at V_DS = 400V, I_D = 4A, V_GS = 10V)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical at V_DS = 25V, V_GS = 0V)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typical at V_DS = 25V, V_GS = 0V)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 15pF (typical at V_DS = 25V, V_GS = 0V)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 55ns (typical)
- **Package**: TO-220AB

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.