600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQB8N60C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 32A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 28nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 65ns (typ)  
- **Package**: TO-220F  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies and motor control.