The FQB7P20TM is a high-performance P-channel Power MOSFET designed by Fairchild Semiconductor to deliver efficient power management in a variety of applications. With a -20V drain-to-source voltage (V_DS) rating and a low on-resistance (R_DS(on)), this component ensures minimal power loss, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

Featuring a compact and robust TO-220AB package, the FQB7P20TM offers excellent thermal performance, enabling reliable operation in demanding environments. Its fast switching characteristics enhance efficiency in DC-DC converters, motor control systems, and load switching applications.  

Key specifications include a continuous drain current (I_D) of -7A and a low gate charge (Q_g), which contributes to reduced switching losses. The device also incorporates advanced trench technology for improved power density and thermal stability.  

Engineers and designers can leverage the FQB7P20TM for its reliability, efficiency, and ease of integration in power electronics designs. Whether used in industrial, automotive, or consumer applications, this MOSFET provides a dependable solution for high-performance power management needs.

### Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET (N-Channel)  
- **Voltage Rating (VDS)**: 200V  
- **Current Rating (ID)**: 7A  
- **Power Dissipation (PD)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.45Ω (max) at VGS = 10V  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  
- **Applications**: Power switching, motor control, DC-DC converters  

This information is based on the manufacturer's datasheet.