200V N-Channel QFET The **FQB7N20TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of electronic applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 200V and a continuous drain current (I_D) of 7A, this MOSFET is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics, the FQB7N20TM minimizes power losses, enhancing overall system efficiency. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

The device is housed in a TO-220AB package, providing excellent thermal performance and ease of mounting. Additionally, its built-in fast-recovery diode contributes to improved switching behavior and reduced voltage spikes.  

Engineers and designers appreciate the FQB7N20TM for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in high-frequency switching or linear regulation, this MOSFET delivers consistent results, meeting the stringent requirements of modern power electronics.