100V N-Channel QFET The **FQB7N10TM** from Fairchild Semiconductor is a high-performance N-channel MOSFET designed for efficient power management in a variety of applications. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 100V and a continuous drain current (I_D) of 7A, this component is well-suited for switching and amplification tasks in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

Featuring low on-resistance (R_DS(on)) of 0.45Ω (max) at V_GS = 10V, the FQB7N10TM ensures minimal power loss and improved thermal performance. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency applications, while the TO-220AB package provides robust thermal dissipation for reliable operation under demanding conditions.  

The MOSFET incorporates advanced trench technology, enhancing efficiency and reducing conduction losses. Additionally, its high avalanche energy rating ensures durability in rugged environments. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, the FQB7N10TM delivers a balance of performance, efficiency, and reliability.  

Engineers and designers seeking a dependable power MOSFET for medium-voltage applications will find the FQB7N10TM a practical choice, combining Fairchild Semiconductor’s legacy of quality with modern power management solutions.