80V N-Channel QFET The FQB70N08TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Technology**: TMOS™ (Trench MOSFET)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 70A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 280A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 8.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 140nC (typical at V_DS = 40V, I_D = 70A, V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min), 4V (max)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +175°C  

This MOSFET is designed for high-power switching applications, such as motor control and power supplies.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016.)