600V N-Channel Advance Q-FET C-Series The FQB6N60C is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Package:** TO-220F (isolated tab)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- Lighting systems  
- Industrial applications  

This information is based on Fairchild's datasheet for the FQB6N60C.