500V N-Channel QFET The FQB6N50TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3A)  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 22nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 130pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 15pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS)**: 320mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to 150°C  
- **Package**: TO-220F (fully insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies and motor control.

500V N-Channel QFET The FQB6N50TM is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 650pF (typical)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.