200V N-Channel MOSFET The FQB630 is a PowerTrench MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 200A  
- **R_DS(on) (Max)**:  
  - 4.5mΩ at V_GS = 10V  
  - 6.0mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W (at 25°C)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  
- **Technology**: PowerTrench (Low R_DS(on), optimized for switching applications)  

This device is designed for high-efficiency power management in applications like DC-DC converters, motor control, and synchronous rectification.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet for FQB630.)