900V N-Channel MOSFET The FQB5N90 is an N-Channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 190W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.5Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 2.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 4V (min), 5V (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 650pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 12ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 35ns (typ)  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications such as power supplies and inverters.