100V N-Channel QFET The FQB55N10TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:  

- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB55N10TM.

100V N-Channel QFET The FQB55N10TM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 220A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 120nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 3600pF (typical)  
- **Package**: TO-263 (D2PAK)  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQB55N10TM.