250V P-Channel MOSFET The **FQB4P25** from Fairchild Semiconductor is a high-performance P-channel MOSFET designed for efficient power management applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) of 0.12 Ω (typical) at a gate-source voltage (VGS) of -10 V, ensuring minimal power loss and improved thermal performance. With a drain-source voltage (VDS) rating of -25 V and a continuous drain current (ID) of -4.3 A, the FQB4P25 is well-suited for switching and amplification tasks in various electronic circuits.  

Built using advanced trench technology, this MOSFET offers fast switching speeds and robust reliability, making it ideal for DC-DC converters, motor control systems, and power supply units. Its compact TO-220 package provides excellent thermal dissipation, enhancing operational stability under high-load conditions.  

The FQB4P25 also includes an integrated fast-recovery body diode, reducing reverse recovery losses and improving efficiency in inductive load applications. With a wide operating temperature range (-55°C to +150°C), this component ensures consistent performance in demanding environments.  

Engineers and designers can leverage the FQB4P25 for its balance of efficiency, durability, and compact form factor, making it a versatile choice for modern power electronics.