900V N-Channel QFET The part FQB4N90TM is manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). It is a 900V, 4A N-Channel MOSFET with the following key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Package:** TO-220F  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications.